電磁流量計(jì)零點(diǎn)不穩(wěn)定檢查和采取措施
電磁流量計(jì)轉(zhuǎn)換器鍵盤定義液晶顯示（圖）
一、故障原因
零點(diǎn)不穩(wěn)定大體上可歸納為 5方面故障原因,它們是:
(1)管道未充滿液體或液體中含有氣泡;
(2)主觀上認(rèn)為管系液體無流動而實(shí)際上存在微小流動;其實(shí)不足電磁流量計(jì)故障,而足如實(shí)反映流動狀況的誤解;
(3)傳感器按地不完善受雜散電流等外界干擾:
(4)液體方面(如液體電導(dǎo)率均勻性,電極污染等問題)的原因;
(5)信號回路絕緣下降。
二、檢查程序
先按流程全面考慮作初步調(diào)查和判斷,然后再逐項(xiàng)細(xì)致檢查和試排除故障。流程所列檢查項(xiàng) 口順序的先后原則是:
(1)可經(jīng)觀察或詢問了解毋須較大操作的在前,即先易后難;
(2)按過去現(xiàn)場檢修經(jīng)驗(yàn),出現(xiàn)頻度較高而今后可能出現(xiàn)概率較高者在前;
(3)檢查本身所需的先后要 求。若經(jīng)初步調(diào)查確隊(duì)足后幾項(xiàng)故障原因,亦可提前作細(xì)致檢查。
故障檢查和采取措施
管道未充滿液體或液體中含有氣泡前段已經(jīng)有闡述。
管道有微量流動:主觀上認(rèn)為流量傳感器內(nèi)無流動而實(shí)際上存在著微量流動。 本類故障主要原因是 管線的截止閥密閉性差, 電磁流量計(jì)所檢測到的微小泄漏量, 誤解為零點(diǎn)變動或零點(diǎn)不穩(wěn)定。 閥門 使用日久或液體污肌使閥門密閉不全的事例是會經(jīng)常遇到的, 大型閥門尤其如此。 另一個常見原因 是流量儀表除了上管道外還有若干支管, 忘記或忽略這些支管的閥門關(guān)閉。 有時候, 在現(xiàn)場確認(rèn)管 系無流動還比較困難。此時可按下圖所示,在流量傳感器 2前后的截止閥 1、 4間設(shè)置小口徑泄漏 監(jiān)視閥 3,觀察足否有泄漏量。
雙閥關(guān)閉和泄漏監(jiān)視
1, 4, 6截止閥; 2 流量傳感器 3, 5 泄漏監(jiān)視閥
接地不完善受外界干擾影響和接地電位變動影響:管道雜散電流等外界干擾影響主要靠電磁流量計(jì) 良好的接地保護(hù),通常要求接地電阻小于1000Ω,不要和其他電器共用接地。有時候環(huán)境條件較 好,電磁流量計(jì)不接地亦能正常工作,但是一旦良好環(huán)境不存在, 儀表會出現(xiàn)故障,屆時再作檢查 會帶來堵多麻煩。流量傳感器附近的電力設(shè)備狀態(tài)的變化 (如漏電流增加) 形成按地電位變化, 電 會引起電磁流量計(jì)零點(diǎn)變動。調(diào)查液體物性:液體電導(dǎo)率變化或不均勻,在靜止時會使零點(diǎn)變動,流動時使輸出晃動。因此流量 計(jì)位置應(yīng)遠(yuǎn)離注入藥液點(diǎn)或管道化學(xué)反應(yīng)段下游, 流量傳感器*好裝在這些場所的上游。 液體若含 有固體,或雜質(zhì)沉積測量管內(nèi)壁,或在測量管內(nèi)壁結(jié)垢, 或電極被油脂等污穢等等,均有可能出現(xiàn) 零點(diǎn)變動。 因?yàn)閮?nèi)壁表面結(jié)垢和電極污穢程度不可能完全一樣和對稱, 破壞出廠初始凋零設(shè)定的平 衡狀況。積極措施是清除污穢和沉積垢層;若零伙變動不大也可嘗試重新調(diào)零。
調(diào)查信號線路絕緣:信號回路絕緣下降會形成零點(diǎn)不穩(wěn)。 信號回路絕緣下降的主要原因, 電極部位 的絕緣電阻下降所引起的, 但也不能排除信號電纜及其接線端子絕緣下降或破壞。 因?yàn)橛袝r候現(xiàn)場 環(huán)境十分嚴(yán)酷, 稍一疏忽儀表蓋、 導(dǎo)線連接處密封不慎, 彌漫著潮氣酸霧或粉粒塵埃侵入儀表接線 盒或電纜保護(hù)層,使絕緣下降。信號回路絕緣電阻檢查分別按電纜側(cè)和流量傳感器側(cè)兩部分進(jìn)行, 用兆歐表測試。 因信號電纜容易檢查可先做。 流量傳感器再分兩次進(jìn)行:充滿液體測量電極表面接 觸電阻和空管后測量,電極絕緣電阻。
檢查電極接觸電阻和電極絕緣電阻分 2步進(jìn)行:
(1)充滿液體測量電極表面液體接觸電阻,流量 傳感器卸下信號電纜接線, 用萬用表分別測量每電極與接地點(diǎn)間的電阻, 兩電極對地電阻值之左應(yīng) 在 10%-20%。“電極接觸電阻的測量” 將有進(jìn)一步
說明。
(2) 空管測量電極絕緣 放空測量管,用干布揩于內(nèi)表面,待完全干燥后, 用 H500VDC 兆歐表測量 各電極與地間的電阻們,阻值必須在 100M Ω以上。
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